简单双端口RAM设计(带下载链接)

December 09, 2023
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1,设计需求

设计一个双端口的RAM,具有独立的读写时钟,独立读写地址和数据端口,具有复位功能,并具有读和写的使能信号。

2,端口设计

写通道(write)

Wrclk

输入端口

写通道的时钟信号

Aclear

输入端口

RAM复位信号

Wren

输入端口

RAM写使能信号

Wraddr[…]

输入端口

RAM写数据的地址端口

Wdata[…]

输入端口

RAM的写数据端口

读通道(read)

Rdclk

输入端口

读通道的时钟信号

Rden

输入端口

读通道的使能信号

Raddr[…]

输入端口

要读出的数据的地址信息

Rdata[…]

输出端口

读出的数据

3,设计框图

4,代码设计

(1)参数定义

数据宽度和地址宽度

(2)输入输出端口

各个信号的含义如第二小节所示。

(3)双端口RAM定义

定义了一个位宽为 data_width,深度为 2^addr_width 的ram存储器。

4)在写时钟的驱动下,双端口RAM写数据以及复位功能设计

在本写时钟下给出写地址和写数据,在下一个写时钟周期,数据被写入到RAM中。

(5)再读时钟的驱动下,双端口RAM读数据的功能设计

本读时钟给出读地址信息,在下一个读时钟信号,输出对应地址的数据。

5,功能仿真(仿真代码

(1)信号初始化,并复位

(2)进行写数据仿真

模拟产生写地址信息以及写数据,并使写使能信号有效。

写地址和写数据在本时钟上升沿产生,并在下一个时钟的上升沿写入RAM中。

(3)进行读数据仿真

模拟产生读地址信号,并使读使能信号有效。

读地址在本时钟上升沿产生,数据在下一个时钟的上升沿从RAM中读出。

6,仿真波形

(1)写数据过程的仿真波形

可以看出,写地址和写数据在本时钟上升沿产生,并在下一个时钟的上升沿写入RAM中。

(2)读数据过程的仿真波形

可以看出,读地址在本时钟上升沿产生,数据在下一个时钟的上升沿从RAM中读出。

7,源代码下载

在公众号对话框内回复

双端口RAM

即可得到工程文件下载链接。

本工程基于 Quartus 18.2 ,联合 Modelsim 进行功能仿真。

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